Банная Вера Федоровна | Факультет точных наук и инновационных технологий МГГУ им. М.А.Шолохова

Факультет точных наук и инновационных технологий

Контакты

Адрес факультета: -109428 -Москва, ул. Михайлова, д.12А

Проезд:

  • — -ст.м. «Марксистская», трол. № 63 от центра -до ост. «Стахановская улица», далее 5 минут пешком -до учебного корпуса по ул.Михайлова, д.12А.
  • — — — -ст. м. «Рязанский пр-т» трол. № 63 в сторону центра -до ост. «Стахановская улица», далее 5 минут пешком -до учебного корпуса по ул.Михайлова, д.12А.
  • — — — -ж/д ст.Перово или ст. Плющево (Казанское направление), или ст. Чухлинка (Горьковского направления) далее 10 минут пешком до учебного корпуса -по ул.Михайлова, д.12А. —

Положение на карте

Телефон: -8-499-1718015 деканат

8-499-1718014 заместитель декана по работе с преподавателями (Брутов В.В.)

e-mail: fimmggu@mail.ru

https://mggu-sh.ru/sites/default/files/chto-napisat-v-interesah-v-kontakte.png

Ответственный за интернет страницу факультета:

Карзубов Дмитрий karzubovdn@gmail.com


Банная Вера Федоровна

Профессор, доктор физико-математических наук, специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков.
Член редакционной коллегии научно-методического журнала «Преподавание физики в высшей школе».
Награды:
1985 г. – знак «Ударник одиннадцатой пятилетки»,
1997 г. – медаль «В память 850 летия Москвы»,
1989 г. – значок «Отличник народного просвещения»,
1988 г. – медаль «Ветеран Труда».
В 1963 году окончила физико-математический факультет Благовещенского Государственного педагогического института им. М.И.Калинина. По окончанию института с отличием, была командирована в Московский Государственный педагогический институт им. В.И.Ленина, на кафедру общей и экспериментальной физики на научную стажировку, по окончанию которой в 1965 году успешно поступила в аспирантуру по этой же кафедре.
В 1968 году защитила кандидатскую диссертацию, посвященную разработке электрофизических методов измерения параметров полупроводниковых материалов.
В 1969 году Вере Федоровне была присуждена степень кандидата физико-математических наук.
В 1973 году утверждена в ученом звании старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков».
Наряду с научной работой в проблемной радиофизической лаборатории МГПИ им В.И.Ленина Вера Федоровна занимается преподавательской деятельностью, — работая с 1979 г. В МГЗПИ на физико-математическом факультете в должности доцента.
В 1986 году ей было присвоено ученое звание доцента по кафедре физики.
В 1994 году защитила докторскую диссертацию на тему: «Кинетические эффекты в классических полупроводниках при низких температурах».
В 1997 году было присвоено звание профессора.
Область научных интересов:
К основным направлениям научных интересов следует отнести:
— Теоретические и экспериментальные исследования кинетических процессов высокочистых полупроводниковых материалов.
— Разработка электрофизических методов измерения параметров полупроводников в широком диапазоне концентрации примесей.
— Методика преподавания курса общей физики, физики твердого тела и электроники.
К основным научным достижениям следует отнести:
— Открытие магнито-концентрационного эффекта в предельно очищенных полупроводниках при сверхнизких температурах (есть авторское свидельство).
— Исследование электрического пробоя в чистом германии и влияние на него внешних факторов (магнитного поля, температуры, подсвета)
— Изучение распределения примесей (в том числе и глубоких) в германии.
— Создание экспресс- методик измерения раздельной концентрации примесей в полупроводниках для заводских лабораторий (есть акты внедрения).
Результаты исследований докладывались на Всесоюзных, Международных, региональных, Российских конференциях.
Была руководителем трех аспирантов успешно защитивших кандидатские диссертации.
основные научные, учебные и учебно-методические труды:
1. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Литвак- Горская Л.Б. Определение суммарной концентрации примесей в германии высокой степени чистоты. Вопросы радиофизики и спектрописи, Т.2,М,1968г
2. — Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А. Новый магнитоконцетрационный эффект в германии. ЖЭТФ,Т 56,в.5,ф 1492, 1969г.
3. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Веселова Л.И. Электрический пробой в чистом германии при гелиевых температурах. ФТП, Т. 7,в. 6,стр. 1092, 1973 г.
4. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Веселова Л.И. затягивание приметного пропоя в сильнокомпенсированном германии. ФТП,Т. 13,в. 1,с. 46,1979 г.
5. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Веселова Л.И. Способ определения концентрации глубоких примесей в полупроводниках. Авторское свидетельство на изобретение № 867239, 1982 г.
6. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Веселова Л.И. Экспресс- методики определения раздельной концентрации и степени компенсации примесей в германии. Заводская лаборатория, № 7, стр. 21 1983 г.
7. Банная В.Ф. Лабораторный практикум по курсу общей физики, раздел механики, М, МГЗПИ, 1985 г., 6 п.л.
8. Банная В.Ф. Методические указания к изучению курса радиоэлектроники. М., МГЗПИ, 1990 г., 2 п.л.
9. Банная В.Ф. Теоретические обобщения с помощью модельных представлений физики. Доклад на международной научно-практической конференции «Проблемы формирования обобщений на уровне теории при обучении физике», М., 2003 г.
10. Банная В.Ф., Баранов Р.И., Величкин В.Е. Краткий физический словарь для студентов физических специальностей. М., МГГУ им. М.А.Шолохова, (№95), В печати. (10 п.л.)
Всего более 100 публикаций.